Куликов, В. Д. Электрический пробой ионных кристаллов. - Томск, 2014
Куликов, Виктор Дмитриевич.Электрический пробой ионных кристаллов / В. Д. Куликов ; Томский сельско-хозяйственный институт (филиал НГАУ). — Томск : Издательство Томского университета, 2014. — 145 с. : ил. ; 21 см.
ISBN 978-5-7511-2274-4
Содержание :
- Введение.
- ГЛАВА 1. Механическое и термическое разрушение твердых тел.
- Межатомная связь и теоретическая прочность твердого тела.
- Прочность реальных кристаллов.
- Термодинамические соотношения.
- Плавление ЩГК при высоких давлениях.
- ГЛАВА 2. Неравновесные носители заряда в диэлектриках.
- Энергетические зоны щелочно-галоидных кристаллов.
- Энергетический спектр вторичных электронов.
- Средняя энергия создания электронно-дырочной пары.
- Термализация вторичных электронов.
- Относительный выход свободных носителей заряда в ионных кристаллах.
- Центры захвата носителей заряда в ионных соединениях.
- Эффект очистки центров захвата.
- Радиационно-индуцированная проводимость диэлектриков.
- Рекомбинация носителей заряда при высоких уровнях возбуждения.
- Электропроводность ударно-сжатых диэлектриков.
- ГЛАВА 3. Свойства канала электрического пробоя в ионных кристаллах.
- Развитие представлений об электрическом пробое.
- Первичный канал электрического пробоя в щелочно-галоидных кристаллах.
- Генерация линейных дефектов в тонких слоях щелочно-галоидных кристаллов в сильных электрических полях.
- Генерация F-центров окраски в кристалле KBr в предпробойном импульсном электрическом поле.
- Пробивная напряженность щелочно-галоидных кристаллов в наносекундном диапазоне.
- Температурная зависимость электрической прочности.
- Ток проводимости в канале пробоя.
- Скорость движения канала пробоя.
- Инжекция плазмы из канала пробоя.
- ГЛАВА 4. Механизм генерации первичных электронов посредством каскадных оже-переходов.
- Процессы в области контакта металл-диэлектрик.
- Механизм каскадных оже-переходов.
- Формирование изгиба зон.
- Кристаллографическая направленность каналов пробоя в ЩГК.
- Анизотропия каналов электрического пробоя в кристаллическом кварце.
- Критерий электрического пробоя.
- ГЛАВА 5. Модель канала электрического пробоя в ионных кристаллах.
- Схема развития канала пробоя.
- Формирование объемного заряда.
- Механизм движения канала пробоя в NaCl.
- Механизм движения канала пробоя в KCl.
- Ток проводимости в канале пробоя.
- Сопротивление канала электрического пробоя в ионных кристаллах.
- Радиальная устойчивость канала электрического пробоя в ионных кристаллах.
- Заключение.
- Литература.
- Обозначения.
Ключевые слова
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРОБОЙ, ТВЕРДЫЕ ТЕЛА, КРИСТАЛЛЫ, ФИЗИКА
ОГРАНИЧЕННЫЙ ПРОСМОТР : общий вид издания, доступ к аннотации и содержанию.
Источник : ТОУНБ им. А. С. Пушкина.
Количество файлов: 2; Общий объем: 1.34МБ
В монографии рассмотрены основные закономерности процесса импульсного электрического пробоя в твердых телах. Представлен новый механизм генерации первичных электронов посредством каскадных оже-переходов в валентной зоне ионных кристаллов. В рамках данного механизма разработана физическая модель канала электрического пробоя, включая элементы кристаллографической и анодной направленности канала пробоя, высокой плотности предпробойного тока, механизма движения канала и его внутренней структуры.